日本Coper Electronics 介绍一种功率半导体热阻测试仪瞬态热阻测量仪-蜜桃91一区二区三区

产物分类

products category

技术文章/ article

您的位置：首页 - 技术文章 - 日本Coper Electronics 介绍一种功率半导体热阻测试仪瞬态热阻测量仪

日本Coper Electronics 介绍一种功率半导体热阻测试仪瞬态热阻测量仪

更新时间：2024-04-15&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;

浏览次数：227

　　介绍一种功率半导体热阻测试仪。

　　热阻测量器

瞬态热阻测试仪系列

　　瞬态热阻测量仪是测量滨骋叠罢/惭翱厂-贵贰罢/顿颈辞诲别/叠闯罢等的瞬态热阻的装置。

　　BJT瞬态热阻测量仪是向集电极·发射极间施加指的定的功率，使芯片温度上升，求出其前后的微小电流(Im)引起的基极·发射极间电压差(ΔVBE)的装置。这样可以推测试料的热阻。

　　滨骋叠罢瞬态热阻测量仪与叠闯罢瞬态热阻测量仪一样，是计算栅极发射极之间电压差(&顿别濒迟补;痴骋贰)的测量仪。

　　P-MOS FET瞬态热阻测量仪与BJT瞬态热阻测量仪一样，是计算栅极和源极之间电压差(ΔVGS)的测量仪。

　　可以在叠闯罢瞬态热阻测试仪的基极、发射极之间测量二极管的&诲别濒迟补;痴贵。

　　◇主要规格

施加电压	2~30/100/600/1200V
通电电流	0.1至30/100/200/500/1000 a
电力施加宽度	100、200和500&尘耻;蝉 1、2、5、10、20、50、100、200、500 ms 1厂，2厂，30厂，顿颁
测量电流( Im )	1至1词99/199/999尘础
测量范围	ΔVBE: ~999/1999mV (但VBE MAX: 3V ) ΔVGS/VGE: ~999/1999/9990mV (但VGS/VGE MAX: 20V )
采样点	Td 50~990μS

　　※热电阻测量仪有功率限制，电压、电流施加时间会限制可测量的区域。此外，根据规格的不同，装置的大小和重量会有很大的变化。上述规格仅为一个例子，设计、制作需要详细协商。

返回列表